半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
- 发布日期：2023-12-28
- 实施日期：2024-07-01
- 状态：现行
国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限...
基础信息
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-2:2019。
采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法。
起草单位
河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）
中国电子科技集团公司第四十六研究所
山东天岳先进科技股份有限公司
中国科学院半导体研究所
山西烁科晶体有限公司
深圳市星汉激光科技股份有限公司
深圳市恒运昌真空技术有限公司
深圳超盈智能科技有限公司
厦门柯尔自动化设备有限公司
之江实验室
浙江大学
河北普兴电子科技股份有限公司
中电化合物半导体有限公司
广东天域半导体股份有限公司
常州银河世纪微电子股份有限公司
深圳市鹰眼在线电子科技有限公司
常州臻晶半导体有限公司
厦门普诚科技有限公司
起草人
芦伟立
房玉龙
李丽霞
杨青
张建锋
李振廷
张永强
钮应喜
丁雄杰
刘薇
乐卫平
周翔
郑隆结
薛联金
李佳
张冉冉
殷源
刘立娜
徐晨
宋生
金向军
毛开礼
周少丰
庄建军
夏俊杰
陆敏
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